Les anneaux CVD en carbure de silicium (SiC) proposés par Semicera sont des composants clés de la gravure des semi-conducteurs, une étape vitale dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs. La composition de ces anneaux CVD en carbure de silicium (SiC) garantit une structure robuste et durable qui peut résister aux conditions difficiles du processus de gravure. Le dépôt chimique en phase vapeur contribue à former une couche de SiC de haute pureté, uniforme et dense, conférant aux anneaux une excellente résistance mécanique, stabilité thermique et résistance à la corrosion.
En tant qu'élément clé dans la fabrication de semi-conducteurs, les anneaux CVD en carbure de silicium (SiC) agissent comme une barrière protectrice pour protéger l'intégrité des puces semi-conductrices. Sa conception précise garantit une gravure uniforme et contrôlée, ce qui facilite la fabrication de dispositifs semi-conducteurs très complexes, offrant des performances et une fiabilité améliorées.
L'utilisation du matériau CVD SiC dans la construction des anneaux démontre un engagement envers la qualité et les performances dans la fabrication de semi-conducteurs. Ce matériau possède des propriétés uniques, notamment une conductivité thermique élevée, une excellente inertie chimique et une résistance à l'usure et à la corrosion, faisant des anneaux CVD en carbure de silicium (SiC) un composant indispensable dans la recherche de précision et d'efficacité dans les processus de gravure de semi-conducteurs.
L'anneau CVD en carbure de silicium (SiC) de Semicera représente une solution avancée dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs, utilisant les propriétés uniques du carbure de silicium déposé chimiquement en phase vapeur pour obtenir des processus de gravure fiables et hautes performances, favorisant l'avancement continu de la technologie des semi-conducteurs. Nous nous engageons à fournir à nos clients d'excellents produits et un support technique professionnel pour répondre à la demande de l'industrie des semi-conducteurs en solutions de gravure efficaces et de haute qualité.
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Suscepteur de croissance par épitaxie
Les plaquettes de silicium/carbure de silicium doivent passer par plusieurs processus pour être utilisées dans les appareils électroniques. Un procédé important est l'épitaxie silicium/sic, dans lequel des tranches de silicium/sic sont portées sur une base de graphite. Les avantages particuliers de la base de graphite recouverte de carbure de silicium de Semicera incluent une pureté extrêmement élevée, un revêtement uniforme et une durée de vie extrêmement longue. Ils présentent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.
Production de puces LED
Lors du revêtement approfondi du réacteur MOCVD, la base ou support planétaire déplace la tranche de substrat. Les performances du matériau de base ont une grande influence sur la qualité du revêtement, qui à son tour affecte le taux de rebut des copeaux. La base recouverte de carbure de silicium de Semicera augmente l'efficacité de fabrication des plaquettes LED de haute qualité et minimise l'écart de longueur d'onde. Nous fournissons également des composants en graphite supplémentaires pour tous les réacteurs MOCVD actuellement utilisés. Nous pouvons revêtir presque n'importe quel composant avec un revêtement en carbure de silicium, même si le diamètre du composant peut atteindre 1,5 M, nous pouvons toujours revêtir du carbure de silicium.
Domaine des semi-conducteurs, processus de diffusion d'oxydation, Etc.
Dans le processus des semi-conducteurs, le processus d'oxydation-expansion nécessite une pureté de produit élevée, et chez Semicera, nous proposons des services de revêtement personnalisés et CVD pour la majorité des pièces en carbure de silicium.
L'image suivante montre la boue de carbure de silicium grossièrement traitée de Semicea et le tube du four en carbure de silicium qui est nettoyé au 1000-niveausans poussièrechambre. Nos ouvriers travaillent avant le revêtement. La pureté de notre carbure de silicium peut atteindre 99,99 % et la pureté du revêtement sic est supérieure à 99,99995 %.
Palette en carbure de silicium brut et tube de traitement SiC en nettoyage
Plaquette de carbure de silicium avec revêtement CVD SiC pour bateau
