Semicera fournit des revêtements spécialisés en carbure de tantale (TaC) pour divers composants et supports.Le procédé de revêtement de pointe Semicera permet aux revêtements en carbure de tantale (TaC) d'atteindre une pureté élevée, une stabilité à haute température et une tolérance chimique élevée, améliorant ainsi la qualité des produits des cristaux SIC/GAN et des couches EPI (Suscepteur TaC recouvert de graphite) et prolonger la durée de vie des composants clés du réacteur. L'utilisation du revêtement TaC en carbure de tantale vise à résoudre le problème des bords et à améliorer la qualité de la croissance cristalline, et Semicera Semicera a résolu de manière révolutionnaire la technologie de revêtement en carbure de tantale (CVD), atteignant le niveau avancé international.
Après des années de développement, Semicera a conquis la technologie deTaC MCVavec les efforts conjoints du département R&D. Il est facile de constater des défauts lors du processus de croissance des plaquettes SiC, mais après utilisationTaC, la différence est significative. Vous trouverez ci-dessous une comparaison des plaquettes avec et sans TaC, ainsi que des pièces Simicera pour la croissance monocristalline.
avec et sans TaC
Après avoir utilisé TaC (à droite)
De plus, la durée de vie des produits de revêtement TaC de Semicera est plus longue et plus résistante aux températures élevées que celle du revêtement SiC. Après une longue période de mesures en laboratoire, notre TaC peut fonctionner longtemps à une température maximale de 2300 degrés Celsius. Voici quelques-uns de nos échantillons :
(a) Schéma schématique du dispositif de culture de lingots monocristallins SiC par méthode PVT (b) Support de graine recouvert de TaC (y compris les graines de SiC) (c) Anneau de guidage en graphite recouvert de TAC
