Suscepteur planétaire de dépôt de couche atomique ALD

Brève description :

Le suscepteur planétaire de dépôt de couche atomique ALD de Semicera est conçu pour le dépôt précis et uniforme de couches minces dans la fabrication de semi-conducteurs. Sa construction robuste et ses matériaux avancés garantissent des performances et une longévité élevées. Le suscepteur de Semicera améliore la qualité du dépôt et l'efficacité du processus, ce qui en fait un composant essentiel pour les applications ALD de pointe.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Le dépôt de couche atomique (ALD) est une technologie de dépôt chimique en phase vapeur qui permet de faire croître des films minces couche par couche en injectant alternativement deux ou plusieurs molécules précurseurs. L'ALD présente les avantages d'une contrôlabilité et d'une uniformité élevées et peut être largement utilisé dans les dispositifs à semi-conducteurs, les dispositifs optoélectroniques, les dispositifs de stockage d'énergie et d'autres domaines. Les principes de base de l'ALD incluent l'adsorption des précurseurs, la réaction de surface et l'élimination des sous-produits, et des matériaux multicouches peuvent être formés en répétant ces étapes dans un cycle. ALD présente les caractéristiques et les avantages d'une contrôlabilité élevée, d'une uniformité et d'une structure non poreuse, et peut être utilisé pour le dépôt d'une variété de matériaux de substrat et de divers matériaux.

Suscepteur planétaire de dépôt de couche atomique ALD (1)

ALD présente les caractéristiques et avantages suivants :
1. Haute contrôlabilité :L’ALD étant un processus de croissance couche par couche, l’épaisseur et la composition de chaque couche de matériau peuvent être contrôlées avec précision.
2. Uniformité :ALD peut déposer des matériaux uniformément sur toute la surface du substrat, évitant ainsi les irrégularités qui peuvent survenir avec d'autres technologies de dépôt.
3. Structure non poreuse :Étant donné que l'ALD est déposée sous forme d'unités d'atomes ou de molécules uniques, le film résultant a généralement une structure dense et non poreuse.
4. Bonnes performances de couverture :L'ALD peut couvrir efficacement les structures à rapport d'aspect élevé, telles que les réseaux de nanopores, les matériaux à haute porosité, etc.
5. Évolutivité :L'ALD peut être utilisé pour une variété de matériaux de substrat, notamment les métaux, les semi-conducteurs, le verre, etc.
6. Polyvalence :En sélectionnant différentes molécules précurseurs, une variété de matériaux différents peuvent être déposés dans le processus ALD, tels que des oxydes métalliques, des sulfures, des nitrures, etc.