Plaquette Epi GaN-sur-Si haute puissance 850 V

Brève description :

Plaquette Epi GaN-sur-Si haute puissance 850 V– Découvrez la nouvelle génération de technologie de semi-conducteurs avec la plaquette Epi GaN-on-Si haute puissance 850 V de Semicera, conçue pour des performances et une efficacité supérieures dans les applications haute tension.


Détail du produit

Mots clés du produit

Semiceraprésente lePlaquette Epi GaN-sur-Si haute puissance 850 V, une percée dans l'innovation des semi-conducteurs. Cette plaquette épi avancée combine le rendement élevé du nitrure de gallium (GaN) avec la rentabilité du silicium (Si), créant ainsi une solution puissante pour les applications haute tension.

Principales caractéristiques :

Manipulation haute tension: Conçue pour prendre en charge jusqu'à 850 V, cette plaquette Epi GaN-on-Si est idéale pour l'électronique de puissance exigeante, permettant une efficacité et des performances plus élevées.

Densité de puissance améliorée: Avec une mobilité électronique et une conductivité thermique supérieures, la technologie GaN permet des conceptions compactes et une densité de puissance accrue.

Solution rentable: En utilisant le silicium comme substrat, cette plaquette épi offre une alternative rentable aux plaquettes GaN traditionnelles, sans compromettre la qualité ou les performances.

Large gamme d'applications: Parfait pour une utilisation dans les convertisseurs de puissance, les amplificateurs RF et autres appareils électroniques de haute puissance, garantissant fiabilité et durabilité.

Explorez l'avenir de la technologie haute tension avec SemiceraPlaquette Epi GaN-sur-Si haute puissance 850 V. Conçu pour les applications de pointe, ce produit garantit que vos appareils électroniques fonctionnent avec une efficacité et une fiabilité maximales. Choisissez Semicera pour vos besoins en semi-conducteurs de nouvelle génération.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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