Plaquette SiC de type N de 8 pouces

Brève description :

Les plaquettes SiC de type N de 8 pouces de Semicera sont conçues pour les applications de pointe dans le domaine de l'électronique haute puissance et haute fréquence. Ces plaquettes offrent des propriétés électriques et thermiques supérieures, garantissant des performances efficaces dans des environnements exigeants. Semicera offre innovation et fiabilité dans les matériaux semi-conducteurs.


Détail du produit

Mots clés du produit

Les plaquettes SiC de type N de 8 pouces de Semicera sont à la pointe de l'innovation en matière de semi-conducteurs, fournissant une base solide pour le développement de dispositifs électroniques hautes performances. Ces plaquettes sont conçues pour répondre aux exigences rigoureuses des applications électroniques modernes, de l'électronique de puissance aux circuits haute fréquence.

Le dopage de type N de ces tranches de SiC améliore leur conductivité électrique, ce qui les rend idéales pour une large gamme d'applications, notamment les diodes de puissance, les transistors et les amplificateurs. La conductivité supérieure garantit une perte d'énergie minimale et un fonctionnement efficace, essentiels pour les appareils fonctionnant à des fréquences et à des niveaux de puissance élevés.

Semicera utilise des techniques de fabrication avancées pour produire des tranches de SiC présentant une uniformité de surface exceptionnelle et un minimum de défauts. Ce niveau de précision est essentiel pour les applications qui nécessitent des performances et une durabilité constantes, comme dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et des télécommunications.

L'intégration des plaquettes SiC de type N de 8 pouces de Semicera dans votre ligne de production constitue une base pour la création de composants capables de résister aux environnements difficiles et aux températures élevées. Ces plaquettes sont parfaites pour les applications de conversion de puissance, de technologie RF et d'autres domaines exigeants.

Choisir les plaquettes SiC de type N de 8 pouces de Semicera, c'est investir dans un produit qui combine une science des matériaux de haute qualité avec une ingénierie précise. Semicera s'engage à faire progresser les capacités des technologies des semi-conducteurs, en proposant des solutions qui améliorent l'efficacité et la fiabilité de vos appareils électroniques.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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