Les plaquettes SiC de type N de 8 pouces de Semicera sont à la pointe de l'innovation en matière de semi-conducteurs, fournissant une base solide pour le développement de dispositifs électroniques hautes performances. Ces plaquettes sont conçues pour répondre aux exigences rigoureuses des applications électroniques modernes, de l'électronique de puissance aux circuits haute fréquence.
Le dopage de type N de ces tranches de SiC améliore leur conductivité électrique, ce qui les rend idéales pour une large gamme d'applications, notamment les diodes de puissance, les transistors et les amplificateurs. La conductivité supérieure garantit une perte d'énergie minimale et un fonctionnement efficace, essentiels pour les appareils fonctionnant à des fréquences et à des niveaux de puissance élevés.
Semicera utilise des techniques de fabrication avancées pour produire des tranches de SiC présentant une uniformité de surface exceptionnelle et un minimum de défauts. Ce niveau de précision est essentiel pour les applications qui nécessitent des performances et une durabilité constantes, comme dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et des télécommunications.
L'intégration des plaquettes SiC de type N de 8 pouces de Semicera dans votre ligne de production constitue une base pour la création de composants capables de résister aux environnements difficiles et aux températures élevées. Ces plaquettes sont parfaites pour les applications de conversion de puissance, de technologie RF et d'autres domaines exigeants.
Choisir les plaquettes SiC de type N de 8 pouces de Semicera, c'est investir dans un produit qui combine une science des matériaux de haute qualité avec une ingénierie précise. Semicera s'engage à faire progresser les capacités des technologies des semi-conducteurs, en proposant des solutions qui améliorent l'efficacité et la fiabilité de vos appareils électroniques.
Articles | Production | Recherche | Factice |
Paramètres du cristal | |||
Polytype | 4H | ||
Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
Paramètres électriques | |||
Dopant | Azote de type n | ||
Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Paramètres mécaniques | |||
Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Appartement secondaire | Aucun | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Structure | |||
Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
Qualité avant | |||
Devant | Si | ||
Finition superficielle | Si-face CMP | ||
Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
Marquage laser frontal | Aucun | ||
Retour Qualité | |||
Finition arrière | CMP face C | ||
Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
Bord | |||
Bord | Chanfreiner | ||
Conditionnement | |||
Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. |