Plaquette HPSI SiC semi-isolante de 6 pouces

Brève description :

Les plaquettes HPSI SiC semi-isolantes de 6 pouces de Semicera sont conçues pour une efficacité et une fiabilité maximales dans l'électronique haute performance. Ces plaquettes présentent d'excellentes propriétés thermiques et électriques, ce qui les rend idéales pour diverses applications, notamment les dispositifs de puissance et l'électronique haute fréquence. Choisissez Semicera pour une qualité supérieure et une innovation.


Détail du produit

Mots clés du produit

Les plaquettes HPSI SiC semi-isolantes de 6 pouces de Semicera sont conçues pour répondre aux exigences rigoureuses de la technologie moderne des semi-conducteurs. D'une pureté et d'une cohérence exceptionnelles, ces plaquettes constituent une base fiable pour le développement de composants électroniques à haut rendement.

Ces plaquettes HPSI SiC sont connues pour leur conductivité thermique et leur isolation électrique exceptionnelles, essentielles à l'optimisation des performances des dispositifs de puissance et des circuits haute fréquence. Les propriétés semi-isolantes aident à minimiser les interférences électriques et à maximiser l'efficacité de l'appareil.

Le processus de fabrication de haute qualité utilisé par Semicera garantit que chaque plaquette présente une épaisseur uniforme et un minimum de défauts de surface. Cette précision est essentielle pour les applications avancées telles que les dispositifs à radiofréquence, les onduleurs et les systèmes LED, où les performances et la durabilité sont des facteurs clés.

En tirant parti de techniques de production de pointe, Semicera fournit des plaquettes qui non seulement respectent, mais dépassent, les normes de l'industrie. La taille de 6 pouces offre une flexibilité pour augmenter la production, répondant à la fois aux applications de recherche et commerciales dans le secteur des semi-conducteurs.

Choisir les plaquettes HPSI SiC semi-isolantes de 6 pouces de Semicera signifie investir dans un produit qui offre une qualité et des performances constantes. Ces plaquettes font partie de l'engagement de Semicera à faire progresser les capacités de la technologie des semi-conducteurs grâce à des matériaux innovants et un savoir-faire méticuleux.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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