Les plaquettes HPSI SiC semi-isolantes de 6 pouces de Semicera sont conçues pour répondre aux exigences rigoureuses de la technologie moderne des semi-conducteurs. D'une pureté et d'une cohérence exceptionnelles, ces plaquettes constituent une base fiable pour le développement de composants électroniques à haut rendement.
Ces plaquettes HPSI SiC sont connues pour leur conductivité thermique et leur isolation électrique exceptionnelles, essentielles à l'optimisation des performances des dispositifs de puissance et des circuits haute fréquence. Les propriétés semi-isolantes aident à minimiser les interférences électriques et à maximiser l'efficacité de l'appareil.
Le processus de fabrication de haute qualité utilisé par Semicera garantit que chaque plaquette présente une épaisseur uniforme et un minimum de défauts de surface. Cette précision est essentielle pour les applications avancées telles que les dispositifs à radiofréquence, les onduleurs et les systèmes LED, où les performances et la durabilité sont des facteurs clés.
En tirant parti de techniques de production de pointe, Semicera fournit des plaquettes qui non seulement respectent, mais dépassent, les normes de l'industrie. La taille de 6 pouces offre une flexibilité pour augmenter la production, répondant à la fois aux applications de recherche et commerciales dans le secteur des semi-conducteurs.
Choisir les plaquettes HPSI SiC semi-isolantes de 6 pouces de Semicera signifie investir dans un produit qui offre une qualité et des performances constantes. Ces plaquettes font partie de l'engagement de Semicera à faire progresser les capacités de la technologie des semi-conducteurs grâce à des matériaux innovants et un savoir-faire méticuleux.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
