La plaquette SiC de type N de 6 pouces de Semicera est à la pointe de la technologie des semi-conducteurs. Conçue pour des performances optimales, cette plaquette excelle dans les applications haute puissance, haute fréquence et haute température, essentielles pour les appareils électroniques avancés.
Notre plaquette SiC de type N de 6 pouces présente une mobilité électronique élevée et une faible résistance à l'état passant, qui sont des paramètres critiques pour les dispositifs de puissance tels que les MOSFET, les diodes et d'autres composants. Ces propriétés garantissent une conversion d'énergie efficace et une génération de chaleur réduite, améliorant ainsi les performances et la durée de vie des systèmes électroniques.
Les processus rigoureux de contrôle de qualité de Semicera garantissent que chaque plaquette de SiC conserve une excellente planéité de surface et un minimum de défauts. Cette attention méticuleuse aux détails garantit que nos plaquettes répondent aux exigences strictes d'industries telles que l'automobile, l'aérospatiale et les télécommunications.
En plus de ses propriétés électriques supérieures, la plaquette SiC de type N offre une stabilité thermique robuste et une résistance aux températures élevées, ce qui la rend idéale pour les environnements dans lesquels les matériaux conventionnels pourraient échouer. Cette capacité est particulièrement précieuse dans les applications impliquant des opérations à haute fréquence et à haute puissance.
En choisissant la plaquette SiC de type N de 6 pouces de Semicera, vous investissez dans un produit qui représente le summum de l'innovation en matière de semi-conducteurs. Nous nous engageons à fournir les éléments de base des appareils de pointe, en veillant à ce que nos partenaires de diverses industries aient accès aux meilleurs matériaux pour leurs avancées technologiques.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
