Substrat SiC de type N de 6 pouces

Brève description :

Semicera propose une large gamme de plaquettes SiC 4H-8H. Depuis de nombreuses années, nous sommes fabricant et fournisseur de produits pour les industries des semi-conducteurs et du photovoltaïque. Nos principaux produits comprennent : des plaques de gravure en carbure de silicium, des remorques de bateaux en carbure de silicium, des bateaux à plaquettes en carbure de silicium (PV et semi-conducteurs), des tubes de four en carbure de silicium, des palettes en porte-à-faux en carbure de silicium, des mandrins en carbure de silicium, des poutres en carbure de silicium, ainsi que des revêtements CVD SiC et Revêtements TaC. Couvrant la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients d'être votre partenaire à long terme en Chine.

 

Détail du produit

Mots clés du produit

Le matériau monocristallin en carbure de silicium (SiC) a une grande largeur de bande interdite (~Si 3 fois), une conductivité thermique élevée (~Si 3,3 fois ou GaAs 10 fois), un taux de migration de saturation électronique élevé (~Si 2,5 fois), un claquage électrique élevé. champ (~Si 10 fois ou GaAs 5 fois) et d'autres caractéristiques exceptionnelles.

Les matériaux semi-conducteurs de troisième génération comprennent principalement le SiC, le GaN, le diamant, etc., car leur largeur de bande interdite (Eg) est supérieure ou égale à 2,3 électrons-volts (eV), également appelés matériaux semi-conducteurs à large bande interdite. Par rapport aux matériaux semi-conducteurs de première et deuxième génération, les matériaux semi-conducteurs de troisième génération présentent les avantages d'une conductivité thermique élevée, d'un champ électrique de claquage élevé, d'un taux de migration d'électrons saturés élevé et d'une énergie de liaison élevée, qui peuvent répondre aux nouvelles exigences de la technologie électronique moderne pour une haute performance. température, puissance élevée, haute pression, haute fréquence et résistance aux rayonnements et autres conditions difficiles. Il présente d'importantes perspectives d'application dans les domaines de la défense nationale, de l'aviation, de l'aérospatiale, de l'exploration pétrolière, du stockage optique, etc., et peut réduire les pertes d'énergie de plus de 50 % dans de nombreuses industries stratégiques telles que les communications à large bande, l'énergie solaire, la construction automobile, l'éclairage à semi-conducteurs et le réseau intelligent, et peuvent réduire le volume des équipements de plus de 75 %, ce qui revêt une importance capitale pour le développement des sciences et technologies humaines.

Semicera Energy peut fournir aux clients un substrat en carbure de silicium conducteur (conducteur), semi-isolant (semi-isolant), HPSI (semi-isolant de haute pureté) de haute qualité ; De plus, nous pouvons fournir à nos clients des feuilles épitaxiales en carbure de silicium homogènes et hétérogènes ; Nous pouvons également personnaliser la feuille épitaxiale en fonction des besoins spécifiques des clients, et il n'y a pas de quantité minimum de commande.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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