Les lingots SiC semi-isolants de haute pureté de 4 à 6 pouces de Semicera sont conçus pour répondre aux normes rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs. Ces lingots sont produits en mettant l'accent sur la pureté et la cohérence, ce qui en fait un choix idéal pour les applications haute puissance et haute fréquence où les performances sont primordiales.
Les propriétés uniques de ces lingots de SiC, notamment une conductivité thermique élevée et une excellente résistivité électrique, les rendent particulièrement adaptés à une utilisation dans l'électronique de puissance et les dispositifs micro-ondes. Leur nature semi-isolante permet une dissipation efficace de la chaleur et des interférences électriques minimales, conduisant à des composants plus efficaces et plus fiables.
Semicera utilise des procédés de fabrication de pointe pour produire des lingots d'une qualité cristalline et d'une uniformité exceptionnelles. Cette précision garantit que chaque lingot peut être utilisé de manière fiable dans des applications sensibles, telles que les amplificateurs haute fréquence, les diodes laser et autres dispositifs optoélectroniques.
Disponibles en tailles de 4 et 6 pouces, les lingots SiC de Semicera offrent la flexibilité nécessaire pour diverses échelles de production et exigences technologiques. Que ce soit pour la recherche et le développement ou la production de masse, ces lingots offrent les performances et la durabilité exigées par les systèmes électroniques modernes.
En choisissant les lingots SiC semi-isolants de haute pureté de Semicera, vous investissez dans un produit qui combine une science avancée des matériaux avec une expertise de fabrication inégalée. Semicera se consacre à soutenir l'innovation et la croissance de l'industrie des semi-conducteurs, en proposant des matériaux permettant le développement d'appareils électroniques de pointe.
Articles | Production | Recherche | Factice |
Paramètres du cristal | |||
Polytype | 4H | ||
Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
Paramètres électriques | |||
Dopant | Azote de type n | ||
Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Paramètres mécaniques | |||
Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Appartement secondaire | Aucun | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Structure | |||
Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
Qualité avant | |||
Devant | Si | ||
Finition superficielle | Si-face CMP | ||
Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
Marquage laser frontal | Aucun | ||
Retour Qualité | |||
Finition arrière | CMP face C | ||
Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
Bord | |||
Bord | Chanfreiner | ||
Conditionnement | |||
Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. |