Description
Notre entreprise fournitRevêtement SiCtraiter les services par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, des molécules déposées sur la surface des matériaux revêtus, formant unCouche de protection SiC.
Principales caractéristiques
1. Résistance à l’oxydation à haute température :
la résistance à l'oxydation est toujours très bonne lorsque la température atteint 1600 ℃.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
| Propriétés SiC-CVD | ||
| Structure cristalline | Phase β du FCC | |
| Densité | g/cm³ | 3.21 |
| Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
| Taille des grains | µm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99.99995 |
| Capacité thermique | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Force de flexion | MPa (RT 4 points) | 415 |
| Module de Young | Gpa (courbure 4pt, 1300℃) | 430 |
| Expansion thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
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