Substrat SiC de 4 pouces de type N

Brève description :

Semicera propose une large gamme de plaquettes SiC 4H-8H. Depuis de nombreuses années, nous sommes fabricant et fournisseur de produits pour les industries des semi-conducteurs et du photovoltaïque. Nos principaux produits comprennent : des plaques de gravure en carbure de silicium, des remorques de bateaux en carbure de silicium, des bateaux à plaquettes en carbure de silicium (PV et semi-conducteurs), des tubes de four en carbure de silicium, des palettes en porte-à-faux en carbure de silicium, des mandrins en carbure de silicium, des poutres en carbure de silicium, ainsi que des revêtements CVD SiC et Revêtements TaC. Couvrant la plupart des marchés européens et américains. Nous sommes impatients d'être votre partenaire à long terme en Chine.

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Détail du produit

Mots clés du produit

Le matériau monocristallin en carbure de silicium (SiC) a une grande largeur de bande interdite (~Si 3 fois), une conductivité thermique élevée (~Si 3,3 fois ou GaAs 10 fois), un taux de migration de saturation électronique élevé (~Si 2,5 fois), un claquage électrique élevé. champ (~Si 10 fois ou GaAs 5 fois) et d'autres caractéristiques exceptionnelles.

Semicera Energy peut fournir aux clients un substrat en carbure de silicium conducteur (conducteur), semi-isolant (semi-isolant), HPSI (semi-isolant de haute pureté) de haute qualité ; De plus, nous pouvons fournir à nos clients des feuilles épitaxiales en carbure de silicium homogènes et hétérogènes ; Nous pouvons également personnaliser la feuille épitaxiale en fonction des besoins spécifiques des clients, et il n'y a pas de quantité minimum de commande.

Articles	Production	Recherche	Factice
Paramètres du cristal
Polytype	4H
Erreur d'orientation de la surface	<11-20 >4±0,15°
Paramètres électriques
Dopant	Azote de type n
Résistivité	0,015-0,025ohm·cm
Paramètres mécaniques
Diamètre	99,5 - 100 mm
Épaisseur	350 ± 25 μm
Orientation principale à plat	[1-100]±5°
Longueur à plat primaire	32,5 ± 1,5 mm
Position secondaire à plat	90° CW à partir du plat primaire ±5°. silicium face vers le haut
Longueur à plat secondaire	18 ± 1,5 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	NA
Arc	-15 μm ~ 15 μm	-35 μm ~ 35 μm	-45 μm ~ 45 μm
Chaîne	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
Rugosité avant (face Si) (AFM)	Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)
Structure
Densité des microtubes	≤1 pièce/cm2	≤5 pièce/cm2	≤10 pièce/cm2
Impuretés métalliques	≤5E10atomes/cm2		NA
TPB	≤1500 pièce/cm2	≤3000 pièce/cm2	NA
TSD	≤500 pièce/cm2	≤1000 pièce/cm2	NA
Qualité avant
Devant	Si
Finition superficielle	Si-face CMP
Particules	≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)	NA
Rayures	≤2 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre	Longueur cumulée≤2*Diamètre	NA
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination	Aucun		NA
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales	Aucun		NA
Zones polytypes	Aucun	Superficie cumulée≤20 %	Superficie cumulée≤30 %
Marquage laser frontal	Aucun
Retour Qualité
Finition arrière	CMP face C
Rayures	≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre	NA
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)	Aucun
Rugosité du dos	Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)
Marquage laser au dos	1 mm (à partir du bord supérieur)
Bord
Bord	Chanfreiner
Conditionnement
Conditionnement	Le sac intérieur est rempli d'azote et le sac extérieur est aspiré. Cassette multi-wafers, épi-ready.
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.