Les substrats de tranches polis double face SiC semi-isolants de haute pureté (HPSI) de 4 pouces de Semicera sont conçus pour répondre aux exigences rigoureuses de l'industrie des semi-conducteurs. Ces substrats sont conçus avec une planéité et une pureté exceptionnelles, offrant une plate-forme optimale pour les appareils électroniques de pointe.
Ces plaquettes HPSI SiC se distinguent par leurs propriétés supérieures de conductivité thermique et d'isolation électrique, ce qui en fait un excellent choix pour les applications haute fréquence et haute puissance. Le processus de polissage double face garantit une rugosité de surface minimale, ce qui est crucial pour améliorer les performances et la longévité de l'appareil.
La grande pureté des plaquettes SiC de Semicera minimise les défauts et les impuretés, ce qui entraîne des taux de rendement et une fiabilité du dispositif plus élevés. Ces substrats conviennent à un large éventail d'applications, notamment les dispositifs micro-ondes, l'électronique de puissance et les technologies LED, où la précision et la durabilité sont essentielles.
En mettant l'accent sur l'innovation et la qualité, Semicera utilise des techniques de fabrication avancées pour produire des plaquettes qui répondent aux exigences strictes de l'électronique moderne. Le polissage double face améliore non seulement la résistance mécanique mais facilite également une meilleure intégration avec d'autres matériaux semi-conducteurs.
En choisissant les substrats de plaquettes polis double face HPSI SiC semi-isolants de haute pureté de 4 pouces de Semicera, les fabricants peuvent tirer parti des avantages d'une gestion thermique et d'une isolation électrique améliorées, ouvrant la voie au développement de dispositifs électroniques plus efficaces et plus puissants. Semicera continue de diriger l'industrie avec son engagement envers la qualité et le progrès technologique.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
