Lingot SiC de type N 4″6″ 8″

Brève description :

Les lingots SiC de type N de 4″, 6″ et 8″ de Semicera sont la pierre angulaire des dispositifs semi-conducteurs haute puissance et haute fréquence. Offrant des propriétés électriques et une conductivité thermique supérieures, ces lingots sont conçus pour prendre en charge la production de composants électroniques fiables et efficaces. Faites confiance à Semicera pour une qualité et des performances inégalées.


Détail du produit

Mots clés du produit

Les lingots SiC de type N de 4", 6" et 8" de Semicera représentent une percée dans les matériaux semi-conducteurs, conçus pour répondre aux demandes croissantes des systèmes électroniques et électriques modernes. Ces lingots fournissent une base robuste et stable pour diverses applications de semi-conducteurs, garantissant une performances et longévité.

Nos lingots SiC de type N sont produits à l’aide de procédés de fabrication avancés qui améliorent leur conductivité électrique et leur stabilité thermique. Cela les rend idéaux pour les applications haute puissance et haute fréquence, telles que les onduleurs, les transistors et autres dispositifs électroniques de puissance où l'efficacité et la fiabilité sont primordiales.

Le dopage précis de ces lingots garantit qu’ils offrent des performances constantes et reproductibles. Cette cohérence est essentielle pour les développeurs et les fabricants qui repoussent les limites de la technologie dans des domaines tels que l'aérospatiale, l'automobile et les télécommunications. Les lingots SiC de Semicera permettent la production de dispositifs fonctionnant efficacement dans des conditions extrêmes.

Choisir les lingots SiC de type N de Semicera signifie intégrer des matériaux capables de supporter facilement des températures élevées et des charges électriques élevées. Ces lingots sont particulièrement adaptés à la création de composants nécessitant une excellente gestion thermique et un fonctionnement haute fréquence, tels que des amplificateurs RF et des modules de puissance.

En optant pour les lingots SiC de type N de 4", 6" et 8" de Semicera, vous investissez dans un produit qui combine des propriétés matérielles exceptionnelles avec la précision et la fiabilité exigées par les technologies de semi-conducteurs de pointe. Semicera continue de dominer l'industrie en fournir des solutions innovantes qui stimulent l’avancement de la fabrication d’appareils électroniques.

Articles

Production

Recherche

Factice

Paramètres du cristal

Polytype

4H

Erreur d'orientation de la surface

<11-20 >4±0,15°

Paramètres électriques

Dopant

Azote de type n

Résistivité

0,015-0,025ohm·cm

Paramètres mécaniques

Diamètre

150,0 ± 0,2 mm

Épaisseur

350 ± 25 μm

Orientation principale à plat

[1-100]±5°

Longueur à plat primaire

47,5 ± 1,5 mm

Appartement secondaire

Aucun

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm(5mm*5mm)

≤5 μm(5mm*5mm)

≤10 μm(5mm*5mm)

Arc

-15 μm ~ 15 μm

-35 μm ~ 35 μm

-45 μm ~ 45 μm

Chaîne

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosité avant (face Si) (AFM)

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Structure

Densité des microtubes

<1 pièce/cm2

<10 pièce/cm2

<15 pièce/cm2

Impuretés métalliques

≤5E10atomes/cm2

NA

TPB

≤1500 pièce/cm2

≤3000 pièce/cm2

NA

TSD

≤500 pièce/cm2

≤1000 pièce/cm2

NA

Qualité avant

Devant

Si

Finition superficielle

Si-face CMP

Particules

≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm)

NA

Rayures

≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre

Longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination

Aucun

NA

Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales

Aucun

Zones polytypes

Aucun

Superficie cumulée≤20 %

Superficie cumulée≤30 %

Marquage laser frontal

Aucun

Retour Qualité

Finition arrière

CMP face C

Rayures

≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre

NA

Défauts arrière (éclats de bord/empreintes)

Aucun

Rugosité du dos

Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm)

Marquage laser au dos

1 mm (à partir du bord supérieur)

Bord

Bord

Chanfreiner

Conditionnement

Conditionnement

Epi-ready avec emballage sous vide

Conditionnement de cassettes multi-wafers

*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD.

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