Les lingots SiC de type N de 4", 6" et 8" de Semicera représentent une percée dans les matériaux semi-conducteurs, conçus pour répondre aux demandes croissantes des systèmes électroniques et électriques modernes. Ces lingots fournissent une base robuste et stable pour diverses applications de semi-conducteurs, garantissant une performances et longévité.
Nos lingots SiC de type N sont produits à l’aide de procédés de fabrication avancés qui améliorent leur conductivité électrique et leur stabilité thermique. Cela les rend idéaux pour les applications haute puissance et haute fréquence, telles que les onduleurs, les transistors et autres dispositifs électroniques de puissance où l'efficacité et la fiabilité sont primordiales.
Le dopage précis de ces lingots garantit qu’ils offrent des performances constantes et reproductibles. Cette cohérence est essentielle pour les développeurs et les fabricants qui repoussent les limites de la technologie dans des domaines tels que l'aérospatiale, l'automobile et les télécommunications. Les lingots SiC de Semicera permettent la production de dispositifs fonctionnant efficacement dans des conditions extrêmes.
Choisir les lingots SiC de type N de Semicera signifie intégrer des matériaux capables de supporter facilement des températures élevées et des charges électriques élevées. Ces lingots sont particulièrement adaptés à la création de composants nécessitant une excellente gestion thermique et un fonctionnement haute fréquence, tels que des amplificateurs RF et des modules de puissance.
En optant pour les lingots SiC de type N de 4", 6" et 8" de Semicera, vous investissez dans un produit qui combine des propriétés matérielles exceptionnelles avec la précision et la fiabilité exigées par les technologies de semi-conducteurs de pointe. Semicera continue de dominer l'industrie en fournir des solutions innovantes qui stimulent l’avancement de la fabrication d’appareils électroniques.
Articles | Production | Recherche | Factice |
Paramètres du cristal | |||
Polytype | 4H | ||
Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
Paramètres électriques | |||
Dopant | Azote de type n | ||
Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
Paramètres mécaniques | |||
Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Appartement secondaire | Aucun | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Structure | |||
Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
Qualité avant | |||
Devant | Si | ||
Finition superficielle | Si-face CMP | ||
Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
Marquage laser frontal | Aucun | ||
Retour Qualité | |||
Finition arrière | CMP face C | ||
Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
Bord | |||
Bord | Chanfreiner | ||
Conditionnement | |||
Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
*Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. |