Le matériau monocristallin en carbure de silicium (SiC) a une grande largeur de bande interdite (~Si 3 fois), une conductivité thermique élevée (~Si 3,3 fois ou GaAs 10 fois), un taux de migration de saturation électronique élevé (~Si 2,5 fois), un claquage électrique élevé. champ (~Si 10 fois ou GaAs 5 fois) et d'autres caractéristiques exceptionnelles.
Les matériaux semi-conducteurs de troisième génération comprennent principalement le SiC, le GaN, le diamant, etc., car leur largeur de bande interdite (Eg) est supérieure ou égale à 2,3 électrons-volts (eV), également appelés matériaux semi-conducteurs à large bande interdite. Par rapport aux matériaux semi-conducteurs de première et deuxième génération, les matériaux semi-conducteurs de troisième génération présentent les avantages d'une conductivité thermique élevée, d'un champ électrique de claquage élevé, d'un taux de migration d'électrons saturés élevé et d'une énergie de liaison élevée, qui peuvent répondre aux nouvelles exigences de la technologie électronique moderne pour une haute performance. température, puissance élevée, haute pression, haute fréquence et résistance aux rayonnements et autres conditions difficiles. Il présente d'importantes perspectives d'application dans les domaines de la défense nationale, de l'aviation, de l'aérospatiale, de l'exploration pétrolière, du stockage optique, etc., et peut réduire les pertes d'énergie de plus de 50 % dans de nombreuses industries stratégiques telles que les communications à large bande, l'énergie solaire, la construction automobile, l'éclairage à semi-conducteurs et le réseau intelligent, et peuvent réduire le volume des équipements de plus de 75 %, ce qui revêt une importance capitale pour le développement des sciences et technologies humaines.
Semicera Energy peut fournir aux clients un substrat en carbure de silicium conducteur (conducteur), semi-isolant (semi-isolant), HPSI (semi-isolant de haute pureté) de haute qualité ; De plus, nous pouvons fournir à nos clients des feuilles épitaxiales en carbure de silicium homogènes et hétérogènes ; Nous pouvons également personnaliser la feuille épitaxiale en fonction des besoins spécifiques des clients, et il n'y a pas de quantité minimum de commande.
SPÉCIFICATIONS DES PLAQUETTES
*n-Pm = type N Pm-Grade, n-Ps = type N Ps-Grade, Sl = semi-isolant
| Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arc (GF3YFCD)-Valeur absolue | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Chaîne (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
| Bord de la plaquette | Biseautage | ||||
FINITION DE SURFACE
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Semi-Isolant
| Article | 8 pouces | 6 pouces | 4 pouces | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finition de surface | Polissage optique double face, Si- Face CMP | ||||
| Rugosité de surface | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm Face C Ra≤ 0,5 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm Face C Ra≤0,5 nm | |||
| Puces de bord | Aucun autorisé (longueur et largeur≥0,5 mm) | ||||
| Retraits | Aucun permis | ||||
| Rayures (Si-Face) | Quantité ≤5, cumulatif Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette | Quantité ≤5, cumulatif Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette | Quantité ≤5, cumulatif Longueur≤0,5×diamètre de la plaquette | ||
| Fissures | Aucun permis | ||||
| Exclusion de bord | 3mm | ||||
