Les substrats Semicera 3C-SiC Wafer sont conçus pour fournir une plate-forme robuste pour l'électronique de puissance et les dispositifs haute fréquence de nouvelle génération. Dotés de propriétés thermiques et de caractéristiques électriques supérieures, ces substrats sont conçus pour répondre aux exigences exigeantes de la technologie moderne.
La structure 3C-SiC (carbure de silicium cubique) des substrats Semicera Wafer offre des avantages uniques, notamment une conductivité thermique plus élevée et un coefficient de dilatation thermique plus faible par rapport aux autres matériaux semi-conducteurs. Cela en fait un excellent choix pour les appareils fonctionnant dans des températures extrêmes et dans des conditions de puissance élevée.
Avec une tension de claquage électrique élevée et une stabilité chimique supérieure, les substrats de plaquettes Semicera 3C-SiC garantissent des performances et une fiabilité durables. Ces propriétés sont essentielles pour des applications telles que les radars haute fréquence, l'éclairage à semi-conducteurs et les onduleurs, où l'efficacité et la durabilité sont primordiales.
L'engagement de Semicera envers la qualité se reflète dans le processus de fabrication méticuleux de ses substrats de plaquettes 3C-SiC, garantissant l'uniformité et la cohérence de chaque lot. Cette précision contribue aux performances globales et à la longévité des appareils électroniques qui y sont construits.
En choisissant les substrats Semicera 3C-SiC Wafer, les fabricants ont accès à un matériau de pointe qui permet le développement de composants électroniques plus petits, plus rapides et plus efficaces. Semicera continue de soutenir l'innovation technologique en fournissant des solutions fiables qui répondent aux demandes changeantes de l'industrie des semi-conducteurs.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
