Semiceraest fier de présenter leSubstrat de plaquette de nitrure d'aluminium de 30 mm, un matériau de premier ordre conçu pour répondre aux exigences strictes des applications électroniques et optoélectroniques modernes. Les substrats en nitrure d'aluminium (AlN) sont réputés pour leurs propriétés exceptionnelles de conductivité thermique et d'isolation électrique, ce qui en fait un choix idéal pour les dispositifs hautes performances.
Principales caractéristiques :
• Conductivité thermique exceptionnelle: LeSubstrat de plaquette de nitrure d'aluminium de 30 mmpossède une conductivité thermique allant jusqu'à 170 W/mK, nettement supérieure à celle des autres matériaux de substrat, garantissant une dissipation thermique efficace dans les applications à haute puissance.
•Isolation électrique élevée: Doté d'excellentes propriétés d'isolation électrique, ce substrat minimise la diaphonie et les interférences de signal, ce qui le rend idéal pour les applications RF et micro-ondes.
•Résistance mécanique: LeSubstrat de plaquette de nitrure d'aluminium de 30 mmoffre une résistance mécanique et une stabilité supérieures, garantissant durabilité et fiabilité même dans des conditions de fonctionnement rigoureuses.
•Applications polyvalentes: Ce substrat est parfait pour une utilisation dans les LED haute puissance, les diodes laser et les composants RF, fournissant une base robuste et fiable pour vos projets les plus exigeants.
•Fabrication de précision: Semicera garantit que chaque substrat de plaquette est fabriqué avec la plus haute précision, offrant une épaisseur et une qualité de surface uniformes pour répondre aux normes rigoureuses des appareils électroniques avancés.
Maximisez l'efficacité et la fiabilité de vos appareils avec SemiceraSubstrat de plaquette de nitrure d'aluminium de 30 mm. Nos substrats sont conçus pour offrir des performances supérieures, garantissant ainsi le fonctionnement optimal de vos systèmes électroniques et optoélectroniques. Faites confiance à Semicera pour des matériaux de pointe qui dominent l'industrie en termes de qualité et d'innovation.
| Articles | Production | Recherche | Factice |
| Paramètres du cristal | |||
| Polytype | 4H | ||
| Erreur d'orientation de la surface | <11-20 >4±0,15° | ||
| Paramètres électriques | |||
| Dopant | Azote de type n | ||
| Résistivité | 0,015-0,025ohm·cm | ||
| Paramètres mécaniques | |||
| Diamètre | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Épaisseur | 350 ± 25 μm | ||
| Orientation principale à plat | [1-100]±5° | ||
| Longueur à plat primaire | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Appartement secondaire | Aucun | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm(5mm*5mm) | ≤5 μm(5mm*5mm) | ≤10 μm(5mm*5mm) |
| Arc | -15 μm ~ 15 μm | -35 μm ~ 35 μm | -45 μm ~ 45 μm |
| Chaîne | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosité avant (face Si) (AFM) | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Structure | |||
| Densité des microtubes | <1 pièce/cm2 | <10 pièce/cm2 | <15 pièce/cm2 |
| Impuretés métalliques | ≤5E10atomes/cm2 | NA | |
| TPB | ≤1500 pièce/cm2 | ≤3000 pièce/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 pièce/cm2 | ≤1000 pièce/cm2 | NA |
| Qualité avant | |||
| Devant | Si | ||
| Finition superficielle | Si-face CMP | ||
| Particules | ≤60ea/plaquette (taille≥0,3μm) | NA | |
| Rayures | ≤5 unités/mm. Longueur cumulée ≤Diamètre | Longueur cumulée≤2*Diamètre | NA |
| Peau d'orange/piqûres/taches/striations/fissures/contamination | Aucun | NA | |
| Copeaux de bord/empreintes/fracture/plaques hexagonales | Aucun | ||
| Zones polytypes | Aucun | Superficie cumulée≤20 % | Superficie cumulée≤30 % |
| Marquage laser frontal | Aucun | ||
| Retour Qualité | |||
| Finition arrière | CMP face C | ||
| Rayures | ≤5ea/mm, longueur cumulée≤2*Diamètre | NA | |
| Défauts arrière (éclats de bord/empreintes) | Aucun | ||
| Rugosité du dos | Ra≤0,2 nm (5 μm*5 μm) | ||
| Marquage laser au dos | 1 mm (à partir du bord supérieur) | ||
| Bord | |||
| Bord | Chanfreiner | ||
| Conditionnement | |||
| Conditionnement | Epi-ready avec emballage sous vide Conditionnement de cassettes multi-wafers | ||
| *Remarques : « NA » signifie aucune demande. Les éléments non mentionnés peuvent faire référence à SEMI-STD. | |||
