Substrat 4H-SiC de type P à angle hors angle de 2 à 6 pouces à 4°

Les substrats 4H-SiC de type P à angle hors angle de 4° de 2 à 6 pouces de Semicera sont conçus pour répondre aux besoins croissants des fabricants de dispositifs d'alimentation et RF hautes performances. L'orientation hors angle de 4° garantit une croissance épitaxiale optimisée, faisant de ce substrat une base idéale pour une gamme de dispositifs semi-conducteurs, notamment les MOSFET, les IGBT et les diodes.

Ce substrat 4H-SiC de type P à angle hors angle de 4° de 2 à 6 pouces présente d'excellentes propriétés matérielles, notamment une conductivité thermique élevée, d'excellentes performances électriques et une stabilité mécanique exceptionnelle. L'orientation hors angle contribue à réduire la densité des microtubes et favorise des couches épitaxiales plus lisses, ce qui est essentiel pour améliorer les performances et la fiabilité du dispositif semi-conducteur final.

Les substrats 4H-SiC de type P à angle hors angle de 4° de 2 à 6 pouces de Semicera sont disponibles dans une variété de diamètres, allant de 2 pouces à 6 pouces, pour répondre aux différentes exigences de fabrication. Nos substrats sont conçus avec précision pour fournir des niveaux de dopage uniformes et des caractéristiques de surface de haute qualité, garantissant que chaque tranche répond aux spécifications strictes requises pour les applications électroniques avancées.

L'engagement de Semicera en faveur de l'innovation et de la qualité garantit que nos substrats 4H-SiC de type P hors angle de 2 à 6 pouces à 4° offrent des performances constantes dans une large gamme d'applications, de l'électronique de puissance aux dispositifs haute fréquence. Ce produit fournit une solution fiable pour la prochaine génération de semi-conducteurs hautes performances économes en énergie, prenant en charge les avancées technologiques dans des secteurs tels que l'automobile, les télécommunications et les énergies renouvelables.