Carbure de tantale (TaC)est un matériau céramique résistant aux très hautes températures avec les avantages d'un point de fusion élevé, d'une dureté élevée, d'une bonne stabilité chimique, d'une forte conductivité électrique et thermique, etc.revêtement TaCpeut être utilisé comme revêtement résistant à l'ablation, revêtement résistant à l'oxydation et revêtement résistant à l'usure, et est largement utilisé dans la protection thermique aérospatiale, la croissance monocristalline semi-conductrice de troisième génération, l'électronique énergétique et d'autres domaines.
Processus:
Carbure de tantale (TaC)est une sorte de matériau céramique résistant aux ultra-hautes températures avec les avantages d'un point de fusion élevé, d'une dureté élevée, d'une bonne stabilité chimique, d'une forte conductivité électrique et thermique. Donc,revêtement TaCpeut être utilisé comme revêtement résistant à l'ablation, revêtement résistant à l'oxydation et revêtement résistant à l'usure, et est largement utilisé dans la protection thermique aérospatiale, la croissance monocristalline semi-conductrice de troisième génération, l'électronique énergétique et d'autres domaines.
Caractérisation intrinsèque des revêtements :
Nous utilisons la méthode de frittage en suspension pour préparerRevêtements TaCde différentes épaisseurs sur des substrats en graphite de différentes tailles. Premièrement, une poudre de haute pureté contenant une source de Ta et une source de C est configurée avec un dispersant et un liant pour former une suspension de précurseur uniforme et stable. En même temps, selon la taille des pièces en graphite et les exigences d'épaisseur derevêtement TaC, le pré-revêtement est préparé par pulvérisation, coulage, infiltration et autres formes. Enfin, il est chauffé au-dessus de 2 200 ℃ dans un environnement sous vide pour préparer un mélange uniforme, dense, monophasé et bien cristallin.revêtement TaC.
Caractérisation intrinsèque des revêtements :
L'épaisseur derevêtement TaCest d'environ 10 à 50 μm, les grains poussent dans une orientation libre et il est composé de TaC avec une structure cubique monophasée à faces centrées, sans autres impuretés ; le revêtement est dense, la structure est complète et la cristallinité est élevée.revêtement TaCpeut remplir les pores à la surface du graphite et il est chimiquement lié à la matrice de graphite avec une force de liaison élevée. Le rapport Ta sur C dans le revêtement est proche de 1:1. La norme de référence de détection de pureté GDMS ASTM F1593, la concentration d'impuretés est inférieure à 121 ppm. L'écart moyen arithmétique (Ra) du profil de revêtement est de 662 nm.
Applications générales :
GaN etEpitaxie SiCComposants du réacteur CVD, notamment les supports de plaquettes, les antennes paraboliques, les pommes de douche, les couvercles supérieurs et les suscepteurs.
Composants de croissance cristalline SiC, GaN et AlN, notamment creusets, supports de germes de cristaux, guides de flux et filtres.
Composants industriels, notamment éléments chauffants résistifs, buses, anneaux de blindage et dispositifs de brasage.
Principales caractéristiques :
Stabilité à haute température à 2600℃
Fournit une protection en régime permanent dans les environnements chimiques difficiles de H2, New Hampshire3, SiH4et vapeur de Si
Convient à la production de masse avec des cycles de production courts.
