Méthode PART/1CVD (Chemical Vapor Deposition) : À 900-2300℃, en utilisant TaCl5 et CnHm comme sources de tantale et de carbone, H₂ comme atmosphère réductrice, Ar₂ comme gaz porteur, film de dépôt réactionnel. Le revêtement préparé est compact, uniforme et de haute pureté. Cependant, il y a quelques problèmes...
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