-
Points clés du contrôle qualité du processus d'emballage des semi-conducteurs
Points clés pour le contrôle qualité dans le processus d'emballage des semi-conducteursActuellement, la technologie du processus d'emballage des semi-conducteurs s'est considérablement améliorée et optimisée. Cependant, d'un point de vue global, les processus et méthodes de conditionnement des semi-conducteurs n'ont pas encore atteint le niveau le plus parfait...En savoir plus -
Défis du processus d'emballage des semi-conducteurs
Les techniques actuelles de conditionnement des semi-conducteurs s'améliorent progressivement, mais la mesure dans laquelle les équipements et technologies automatisés sont adoptés dans le conditionnement des semi-conducteurs détermine directement la réalisation des résultats attendus. Les processus d'emballage de semi-conducteurs existants souffrent encore de...En savoir plus -
Recherche et analyse du processus d'emballage des semi-conducteurs
Présentation du processus semi-conducteur Le processus semi-conducteur implique principalement l'application de technologies de microfabrication et de film pour connecter entièrement les puces et autres éléments dans diverses régions, telles que les substrats et les cadres. Cela facilite l'extraction des bornes en plomb et l'encapsulation avec ...En savoir plus -
Nouvelles tendances dans l'industrie des semi-conducteurs : l'application de la technologie des revêtements de protection
L’industrie des semi-conducteurs connaît une croissance sans précédent, notamment dans le domaine de l’électronique de puissance en carbure de silicium (SiC). Alors que de nombreuses usines de fabrication de plaquettes à grande échelle sont en construction ou en expansion pour répondre à la demande croissante de dispositifs SiC dans les véhicules électriques, ce ...En savoir plus -
Quelles sont les principales étapes de traitement des substrats SiC ?
Les étapes de production et de traitement des substrats SiC sont les suivantes : 1. Orientation des cristaux : utilisation de la diffraction des rayons X pour orienter le lingot de cristal. Lorsqu'un faisceau de rayons X est dirigé vers la face cristalline souhaitée, l'angle du faisceau diffracté détermine l'orientation du cristal...En savoir plus -
Un matériau important qui détermine la qualité de la croissance du silicium monocristallin – le champ thermique
Le processus de croissance du silicium monocristallin est entièrement réalisé dans le domaine thermique. Un bon champ thermique favorise l’amélioration de la qualité des cristaux et présente une efficacité de cristallisation élevée. La conception du champ thermique détermine en grande partie les changements et les changements...En savoir plus -
Qu’est-ce que la croissance épitaxiale ?
La croissance épitaxiale est une technologie qui permet de faire croître une couche monocristalline sur un substrat monocristallin (substrat) avec la même orientation cristalline que le substrat, comme si le cristal d'origine s'étendait vers l'extérieur. Cette couche monocristalline nouvellement développée peut être différente du substrat en termes de c...En savoir plus -
Quelle est la différence entre substrat et épitaxie ?
Dans le processus de préparation des plaquettes, il existe deux maillons essentiels : l'un est la préparation du substrat et l'autre est la mise en œuvre du processus d'épitaxie. Le substrat, une tranche soigneusement fabriquée à partir d'un matériau monocristallin semi-conducteur, peut être directement inséré dans le processus de fabrication de la tranche.En savoir plus -
Dévoilement des caractéristiques polyvalentes des radiateurs en graphite
Les radiateurs en graphite sont devenus des outils indispensables dans diverses industries en raison de leurs propriétés exceptionnelles et de leur polyvalence. Des laboratoires aux environnements industriels, ces appareils de chauffage jouent un rôle central dans des processus allant de la synthèse des matériaux aux techniques analytiques. Parmi les différents...En savoir plus -
Explication détaillée des avantages et des inconvénients de la gravure sèche et de la gravure humide
Dans la fabrication de semi-conducteurs, il existe une technique appelée « gravure » lors du traitement d'un substrat ou d'un film mince formé sur le substrat. Le développement de la technologie de gravure a joué un rôle dans la réalisation de la prédiction faite par le fondateur d'Intel, Gordon Moore, en 1965, selon laquelle «...En savoir plus -
Dévoilement de l'efficacité thermique élevée et de la stabilité stellaire des radiateurs en carbure de silicium
Les radiateurs en carbure de silicium (SiC) sont à la pointe de la gestion thermique dans l'industrie des semi-conducteurs. Cet article explore l'efficacité thermique exceptionnelle et la stabilité remarquable des radiateurs SiC, mettant en lumière leur rôle crucial pour garantir des performances et une fiabilité optimales dans les semi-conducteurs...En savoir plus -
Explorer les caractéristiques de haute résistance et de dureté élevée des bateaux à plaquettes en carbure de silicium
Les bateaux à plaquettes en carbure de silicium (SiC) jouent un rôle crucial dans l'industrie des semi-conducteurs, facilitant la production de dispositifs électroniques de haute qualité. Cet article se penche sur les caractéristiques remarquables des bateaux à plaquettes SiC, en se concentrant sur leur résistance et leur dureté exceptionnelles, et met en évidence leur importance...En savoir plus