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Processus de fabrication de semi-conducteurs – Etch Technology
Des centaines de processus sont nécessaires pour transformer une plaquette en semi-conducteur. L'un des processus les plus importants est la gravure, c'est-à-dire la gravure de fins motifs de circuits sur la tranche. Le succès du processus de gravure dépend de la gestion de diverses variables dans une plage de distribution définie, et chaque gravure...En savoir plus -
Matériau idéal pour les bagues de focalisation dans les équipements de gravure au plasma : carbure de silicium (SiC)
Dans les équipements de gravure plasma, les composants en céramique jouent un rôle crucial, notamment la bague de focalisation. La bague de focalisation, placée autour de la plaquette et en contact direct avec celle-ci, est essentielle pour focaliser le plasma sur la plaquette en appliquant une tension sur la bague. Cela améliore l'ONU...En savoir plus -
Effet du traitement des monocristaux de carbure de silicium sur la qualité de la surface des plaquettes
Les dispositifs de puissance à semi-conducteurs occupent une position centrale dans les systèmes électroniques de puissance, en particulier dans le contexte du développement rapide de technologies telles que l'intelligence artificielle, les communications 5G et les véhicules à énergies nouvelles, leurs exigences de performance ont été ...En savoir plus -
Matériau de base clé pour la croissance du SiC : revêtement en carbure de tantale
Actuellement, la troisième génération de semi-conducteurs est dominée par le carbure de silicium. Dans la structure des coûts de ses appareils, le substrat représente 47 % et l'épitaxie 23 %. Les deux représentent ensemble environ 70 %, ce qui constitue la partie la plus importante de la fabrication de dispositifs en carbure de silicium...En savoir plus -
Comment les produits revêtus de carbure de tantale améliorent-ils la résistance à la corrosion des matériaux ?
Le revêtement au carbure de tantale est une technologie de traitement de surface couramment utilisée qui peut améliorer considérablement la résistance à la corrosion des matériaux. Le revêtement en carbure de tantale peut être fixé à la surface du substrat par différentes méthodes de préparation, telles que le dépôt chimique en phase vapeur, la physique...En savoir plus -
Hier, le Conseil de l'innovation scientifique et technologique a annoncé que Huazhuo Precision Technology avait mis fin à son introduction en bourse !
Je viens d'annoncer la livraison du premier équipement de recuit laser SIC de 8 pouces en Chine, qui est également la technologie de Tsinghua ; Pourquoi ont-ils eux-mêmes retiré les documents ? Juste quelques mots : d’abord, les produits sont trop diversifiés ! À première vue, je ne sais pas ce qu'ils font. À l'heure actuelle, H...En savoir plus -
Revêtement en carbure de silicium CVD-2
Revêtement de carbure de silicium CVD 1. Pourquoi existe-t-il un revêtement de carbure de silicium ? La couche épitaxiale est un film mince monocristallin spécifique développé sur la base de la tranche par le biais du processus épitaxial. La tranche de substrat et le film mince épitaxial sont collectivement appelés tranches épitaxiales. Parmi eux, les...En savoir plus -
Processus de préparation du revêtement SIC
À l'heure actuelle, les méthodes de préparation du revêtement SiC comprennent principalement la méthode gel-sol, la méthode d'incorporation, la méthode de revêtement au pinceau, la méthode de pulvérisation au plasma, la méthode de réaction chimique en phase vapeur (CVR) et la méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Méthode d'incorporationCette méthode est une sorte de phase solide à haute température ...En savoir plus -
Revêtement en carbure de silicium CVD-1
Qu'est-ce que le CVD SiC Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un processus de dépôt sous vide utilisé pour produire des matériaux solides de haute pureté. Ce procédé est souvent utilisé dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs pour former des films minces à la surface des plaquettes. Lors du processus de préparation du SiC par CVD, le substrat est exp...En savoir plus -
Analyse de la structure des dislocations dans un cristal de SiC par simulation de lancer de rayons assistée par imagerie topologique aux rayons X
Contexte de la recherche Importance de l'application du carbure de silicium (SiC) : En tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite, le carbure de silicium a attiré beaucoup d'attention en raison de ses excellentes propriétés électriques (telles qu'une bande interdite plus grande, une vitesse de saturation des électrons et une conductivité thermique plus élevées). Ces accessoires...En savoir plus -
Processus de préparation de germes cristallins dans la croissance de monocristaux de SiC 3
Vérification de la croissance Les germes cristallins de carbure de silicium (SiC) ont été préparés en suivant le processus décrit et validés par croissance cristalline de SiC. La plate-forme de croissance utilisée était un four de croissance à induction SiC auto-développé avec une température de croissance de 2 200 ℃, une pression de croissance de 200 Pa et une température de croissance de 2 200 ℃.En savoir plus -
Processus de préparation des germes cristallins dans la croissance de monocristaux de SiC (partie 2)
2. Processus expérimental 2.1 Durcissement du film adhésif Il a été observé que la création directe d'un film de carbone ou le collage avec du papier graphite sur des tranches de SiC recouvertes d'adhésif entraînaient plusieurs problèmes : 1. Sous vide, le film adhésif sur les tranches de SiC développait un aspect écailleux en raison signer...En savoir plus