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Qu'est-ce que le carbure de tantale ?
Le carbure de tantale (TaC) est un composé binaire de tantale et de carbone de formule chimique TaC x, où x varie généralement entre 0,4 et 1. Ce sont des matériaux céramiques réfractaires extrêmement durs, cassants et à conductivité métallique. Ce sont des poudres brun-gris et c'est nous...En savoir plus -
qu'est-ce que le carbure de tantale
Le carbure de tantale (TaC) est un matériau céramique à ultra haute température avec une résistance à haute température, une densité élevée et une compacité élevée ; haute pureté, teneur en impuretés <5PPM ; et inertie chimique à l'ammoniac et à l'hydrogène à haute température, et bonne stabilité thermique. Le soi-disant ultra-haut ...En savoir plus -
Qu’est-ce que l’épitaxie ?
La plupart des ingénieurs ne connaissent pas l’épitaxie, qui joue un rôle important dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. L'épitaxie peut être utilisée dans différents produits de puces, et différents produits ont différents types d'épitaxie, notamment l'épitaxie Si, l'épitaxie SiC, l'épitaxie GaN, etc. Qu'est-ce que l'épitaxie ?L'épitaxie est...En savoir plus -
Quels sont les paramètres importants du SiC ?
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite important, largement utilisé dans les appareils électroniques haute puissance et haute fréquence. Voici quelques paramètres clés des plaquettes de carbure de silicium et leurs explications détaillées : Paramètres de réseau : Assurez-vous que le ...En savoir plus -
Pourquoi le silicium monocristallin doit-il être laminé ?
Le laminage fait référence au processus de meulage du diamètre extérieur d'une tige monocristalline de silicium en une tige monocristalline du diamètre requis à l'aide d'une meule diamantée, et de meulage d'une surface de référence à bord plat ou d'une rainure de positionnement de la tige monocristalline. La surface du diamètre extérieur...En savoir plus -
Processus de production de poudres SiC de haute qualité
Le carbure de silicium (SiC) est un composé inorganique connu pour ses propriétés exceptionnelles. Le SiC naturel, appelé moissanite, est assez rare. Dans les applications industrielles, le carbure de silicium est principalement produit par des méthodes synthétiques. Chez Semicera Semiconductor, nous exploitons des technologies avancées...En savoir plus -
Contrôle de l'uniformité de la résistivité radiale lors du tirage des cristaux
Les principales raisons affectant l'uniformité de la résistivité radiale des monocristaux sont la planéité de l'interface solide-liquide et le petit effet plan pendant la croissance cristalline. L'influence de la planéité de l'interface solide-liquide pendant la croissance cristalline, si la masse fondue est agitée uniformément , le...En savoir plus -
Pourquoi le four monocristallin à champ magnétique peut-il améliorer la qualité du monocristal
Étant donné que le creuset est utilisé comme récipient et qu'il y a une convection à l'intérieur, à mesure que la taille du monocristal généré augmente, la convection thermique et l'uniformité du gradient de température deviennent plus difficiles à contrôler. En ajoutant un champ magnétique pour faire agir la fusion conductrice sur la force de Lorentz, la convection peut être...En savoir plus -
Croissance rapide de monocristaux de SiC à l'aide d'une source en vrac CVD-SiC par méthode de sublimation
Croissance rapide d'un monocristal de SiC à l'aide d'une source en vrac CVD-SiC via la méthode de sublimationEn utilisant des blocs CVD-SiC recyclés comme source de SiC, les cristaux de SiC ont été cultivés avec succès à une vitesse de 1,46 mm/h grâce à la méthode PVT. Les densités de microtuyaux et de dislocations du cristal développé indiquent que de...En savoir plus -
Contenu optimisé et traduit sur les équipements de croissance épitaxiale en carbure de silicium
Les substrats en carbure de silicium (SiC) présentent de nombreux défauts qui empêchent un traitement direct. Pour créer des tranches de puce, un film monocristallin spécifique doit être développé sur le substrat SiC par un processus épitaxial. Ce film est connu sous le nom de couche épitaxiale. Presque tous les dispositifs SiC sont réalisés par épitaxie...En savoir plus -
Le rôle crucial et les cas d'application des suscepteurs en graphite recouverts de SiC dans la fabrication de semi-conducteurs
Semicera Semiconductor prévoit d'augmenter la production de composants de base pour les équipements de fabrication de semi-conducteurs à l'échelle mondiale. D'ici 2027, nous visons à créer une nouvelle usine de 20 000 mètres carrés avec un investissement total de 70 millions USD. L'un de nos composants principaux, le support de plaquette en carbure de silicium (SiC)...En savoir plus -
Pourquoi devons-nous faire de l’épitaxie sur des substrats de tranches de silicium ?
Dans la chaîne industrielle des semi-conducteurs, en particulier dans la chaîne industrielle des semi-conducteurs de troisième génération (semi-conducteurs à large bande interdite), il existe des substrats et des couches épitaxiales. Quelle est l’importance de la couche épitaxiale ? Quelle est la différence entre le substrat et le substrat ? Le sous-sol...En savoir plus