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Hier, le Conseil de l'innovation scientifique et technologique a annoncé que Huazhuo Precision Technology avait mis fin à son introduction en bourse !
Je viens d'annoncer la livraison du premier équipement de recuit laser SIC de 8 pouces en Chine, qui est également la technologie de Tsinghua ; Pourquoi ont-ils eux-mêmes retiré les documents ? Juste quelques mots : d’abord, les produits sont trop diversifiés ! À première vue, je ne sais pas ce qu'ils font. À l'heure actuelle, H...En savoir plus -
Revêtement en carbure de silicium CVD-2
Revêtement de carbure de silicium CVD 1. Pourquoi existe-t-il un revêtement de carbure de silicium ? La couche épitaxiale est un film mince monocristallin spécifique développé sur la base de la tranche par le biais du processus épitaxial. La tranche de substrat et le film mince épitaxial sont collectivement appelés tranches épitaxiales. Parmi eux, les...En savoir plus -
Processus de préparation du revêtement SIC
À l'heure actuelle, les méthodes de préparation du revêtement SiC comprennent principalement la méthode gel-sol, la méthode d'incorporation, la méthode de revêtement au pinceau, la méthode de pulvérisation au plasma, la méthode de réaction chimique en phase vapeur (CVR) et la méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Méthode d'incorporationCette méthode est une sorte de phase solide à haute température ...En savoir plus -
Revêtement CVD en carbure de silicium-1
Qu'est-ce que le CVD SiC Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un processus de dépôt sous vide utilisé pour produire des matériaux solides de haute pureté. Ce procédé est souvent utilisé dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs pour former des films minces à la surface des plaquettes. Lors du processus de préparation du SiC par CVD, le substrat est exp...En savoir plus -
Analyse de la structure des dislocations dans un cristal de SiC par simulation de lancer de rayons assistée par imagerie topologique aux rayons X
Contexte de la recherche Importance de l'application du carbure de silicium (SiC) : En tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite, le carbure de silicium a attiré beaucoup d'attention en raison de ses excellentes propriétés électriques (telles qu'une bande interdite plus grande, une vitesse de saturation électronique et une conductivité thermique plus élevées). Ces accessoires...En savoir plus -
Processus de préparation de germes cristallins dans la croissance de monocristaux de SiC 3
Vérification de la croissance Les germes cristallins de carbure de silicium (SiC) ont été préparés en suivant le processus décrit et validés par croissance cristalline de SiC. La plate-forme de croissance utilisée était un four de croissance à induction SiC auto-développé avec une température de croissance de 2 200 ℃, une pression de croissance de 200 Pa et une température de croissance de 2 200 ℃.En savoir plus -
Processus de préparation des germes cristallins dans la croissance de monocristaux de SiC (partie 2)
2. Processus expérimental 2.1 Durcissement du film adhésif Il a été observé que la création directe d'un film de carbone ou le collage avec du papier graphite sur des tranches de SiC recouvertes d'adhésif entraînaient plusieurs problèmes : 1. Sous vide, le film adhésif sur les tranches de SiC développait un aspect écailleux en raison signer...En savoir plus -
Processus de préparation de germes cristallins dans la croissance de monocristaux de SiC
Le matériau en carbure de silicium (SiC) présente les avantages d'une large bande interdite, d'une conductivité thermique élevée, d'une intensité de champ de claquage critique élevée et d'une vitesse de dérive élevée des électrons saturés, ce qui le rend très prometteur dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs. Les monocristaux de SiC sont généralement produits par...En savoir plus -
Quelles sont les méthodes de polissage des plaquettes ?
Parmi tous les processus impliqués dans la création d’une puce, le destin final de la tranche est d’être découpé en matrices individuelles et emballé dans de petites boîtes fermées avec seulement quelques broches exposées. La puce sera évaluée en fonction de ses valeurs de seuil, de résistance, de courant et de tension, mais personne ne prendra en compte...En savoir plus -
L'introduction de base du processus de croissance épitaxiale SiC
La couche épitaxiale est un film monocristallin spécifique développé sur la tranche par un processus épitaxial, et la tranche de substrat et le film épitaxial sont appelés tranche épitaxiale. En faisant croître la couche épitaxiale de carbure de silicium sur le substrat conducteur en carbure de silicium, l'épitaxie homogène en carbure de silicium...En savoir plus -
Points clés du contrôle qualité du processus d'emballage des semi-conducteurs
Points clés pour le contrôle qualité dans le processus d'emballage des semi-conducteursActuellement, la technologie du processus d'emballage des semi-conducteurs s'est considérablement améliorée et optimisée. Cependant, d'un point de vue global, les processus et méthodes de conditionnement des semi-conducteurs n'ont pas encore atteint le niveau le plus parfait...En savoir plus -
Défis du processus d'emballage des semi-conducteurs
Les techniques actuelles de conditionnement des semi-conducteurs s'améliorent progressivement, mais la mesure dans laquelle les équipements et technologies automatisés sont adoptés dans le conditionnement des semi-conducteurs détermine directement la réalisation des résultats attendus. Les processus d'emballage de semi-conducteurs existants souffrent encore de...En savoir plus