Dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs, lePagaie SiCjoue un rôle crucial, notamment dans le processus de croissance épitaxiale. En tant que composant clé utilisé dansMOCVD(Dépôt chimique en phase vapeur de métaux organiques),Palettes SiCsont conçus pour supporter des températures élevées et des environnements chimiquement difficiles, ce qui les rend indispensables pour une fabrication avancée. Chez Semicera, nous sommes spécialisés dans la production de hautes performancesPalettes SiCconçu pour les deuxSi EpitaxieetEpitaxie SiC, offrant une durabilité et une stabilité thermique exceptionnelles.
L'utilisation de SiC Paddles est particulièrement répandue dans des processus tels que la croissance épitaxiale, où le substrat nécessite des conditions thermiques et chimiques précises. Nos produits Semicera assurent des performances optimales dans les environnements nécessitant unSuscepteur MOCVD, où des couches de carbure de silicium de haute qualité sont déposées sur des substrats. Cela contribue à améliorertranchequalité et une efficacité supérieure des appareils dans la production de semi-conducteurs.
SemiceraPalettes SiCne sont pas seulement conçus pourSi Epitaxiemais également adapté à une gamme d'autres applications critiques. Par exemple, ils sont compatibles avec les supports de gravure PSS, essentiels à la production de plaquettes LED, etSupports de gravure ICP, où un contrôle précis des ions est nécessaire pour façonner les plaquettes. Ces palettes font partie intégrante de systèmes commeTransporteurs RTP(Rapid Thermal Processing), où la nécessité de transitions de température rapides et d'une conductivité thermique élevée est primordiale.
De plus, les palettes SiC servent de suscepteurs épitaxiaux de LED, facilitant la croissance de tranches de LED à haut rendement. La capacité à gérer diverses contraintes thermiques et environnementales les rend très polyvalents dans différents processus de fabrication de semi-conducteurs.
Dans l'ensemble, Semicera s'engage à fournir des palettes SiC qui répondent aux exigences rigoureuses de la fabrication moderne de semi-conducteurs. De l'épitaxie SiC aux suscepteurs MOCVD, nos solutions garantissent une fiabilité et des performances améliorées, répondant ainsi aux demandes de pointe de l'industrie.
Heure de publication : 07 septembre 2024