Quelles sont les principales étapes de traitement des substrats SiC ?

Les étapes de production et de traitement des substrats SiC sont les suivantes :

1. Orientation du cristal : utilisation de la diffraction des rayons X pour orienter le lingot de cristal.Lorsqu'un faisceau de rayons X est dirigé vers la face cristalline souhaitée, l'angle du faisceau diffracté détermine l'orientation du cristal.

2. Broyage du diamètre extérieur : Les monocristaux cultivés dans des creusets en graphite dépassent souvent les diamètres standards.Le meulage du diamètre extérieur les réduit à des tailles standard.

Meulage de face d'extrémité : les substrats 4H-SiC de 4 pouces ont généralement deux bords de positionnement, primaire et secondaire.Le meulage des faces d'extrémité ouvre ces bords de positionnement.

3. Sciage au fil : Le sciage au fil est une étape cruciale dans le traitement des substrats 4H-SiC.Les fissures et les dommages souterrains causés lors du sciage au fil ont un impact négatif sur les processus ultérieurs, prolongeant le temps de traitement et provoquant des pertes de matériaux.La méthode la plus courante est le sciage multifils avec un abrasif diamanté.Un mouvement alternatif de fils métalliques liés avec des abrasifs diamantés est utilisé pour couper le lingot de 4H-SiC.

4. Chanfreinage : Pour éviter l'écaillage des bords et réduire les pertes de consommables lors des processus ultérieurs, les arêtes vives des copeaux sciés au fil sont chanfreinées selon des formes spécifiées.

5. Amincissement : Le sciage au fil laisse de nombreuses rayures et dommages souterrains.L’éclaircie est réalisée à l’aide de meules diamantées afin d’éliminer au maximum ces défauts.

6. Meulage : Ce processus comprend un meulage grossier et un meulage fin à l'aide d'abrasifs en carbure de bore ou en diamant de plus petite taille pour éliminer les dommages résiduels et les nouveaux dommages introduits lors de l'amincissement.

7. Polissage : Les étapes finales impliquent un polissage grossier et un polissage fin à l'aide d'abrasifs à base d'alumine ou d'oxyde de silicium.Le liquide de polissage adoucit la surface, qui est ensuite éliminée mécaniquement par des abrasifs.Cette étape garantit une surface lisse et intacte.

8. Nettoyage : Élimination des particules, des métaux, des films d'oxyde, des résidus organiques et d'autres contaminants laissés par les étapes de traitement.

Epitaxie SiC (2) - 副本(1)(1)


Heure de publication : 15 mai 2024