Carbure de silicium (SiC)est un composé inorganique connu pour ses propriétés exceptionnelles. Le SiC naturel, appelé moissanite, est assez rare. Dans les applications industrielles,carbure de siliciumest principalement produit par des méthodes de synthèse.
Chez Semicera Semiconductor, nous exploitons des techniques avancées pour fabriquerpoudres SiC de haute qualité.
Nos méthodes incluent :
Méthode Achéson :Ce processus traditionnel de réduction carbothermique consiste à mélanger du sable de quartz de haute pureté ou du minerai de quartz broyé avec du coke de pétrole, du graphite ou de la poudre d'anthracite. Ce mélange est ensuite chauffé à des températures supérieures à 2000°C à l'aide d'une électrode en graphite, aboutissant à la synthèse de poudre d'α-SiC.
Réduction carbothermique à basse température :En combinant de la poudre fine de silice avec de la poudre de carbone et en effectuant la réaction entre 1 500 et 1 800 °C, nous produisons une poudre de β-SiC d'une pureté améliorée. Cette technique, similaire à la méthode Acheson mais à des températures plus basses, donne du β-SiC avec une structure cristalline distinctive. Cependant, un post-traitement pour éliminer le carbone résiduel et le dioxyde de silicium est nécessaire.
Réaction directe silicium-carbone :Cette méthode consiste à faire réagir directement de la poudre de silicium métallique avec de la poudre de carbone à 1 000-1 400 °C pour produire une poudre de β-SiC de haute pureté. La poudre d'α-SiC reste une matière première essentielle pour les céramiques de carbure de silicium, tandis que le β-SiC, avec sa structure semblable à celle du diamant, est idéal pour les applications de meulage et de polissage de précision.
Le carbure de silicium présente deux formes cristallines principales :α et β. Le β-SiC, avec son système cristallin cubique, présente un réseau cubique à faces centrées pour le silicium et le carbone. En revanche, l’α-SiC comprend divers polytypes tels que 4H, 15R et 6H, le 6H étant le plus couramment utilisé dans l’industrie. La température affecte la stabilité de ces polytypes : le β-SiC est stable en dessous de 1 600 °C, mais au-dessus de cette température, il passe progressivement aux polytypes α-SiC. Par exemple, le 4H-SiC se forme vers 2 000 °C, tandis que les polytypes 15R et 6H nécessitent des températures supérieures à 2 100 °C. Notamment, le 6H-SiC reste stable même à des températures supérieures à 2 200°C.
Chez Semicera Semiconductor, nous nous engageons à faire progresser la technologie SiC. Notre expertise enRevêtement SiCet les matériaux garantissent une qualité et des performances de premier ordre pour vos applications de semi-conducteurs. Découvrez comment nos solutions de pointe peuvent améliorer vos processus et vos produits.
Heure de publication : 26 juillet 2024