À l'heure actuelle, les méthodes de préparation deRevêtement SiCcomprennent principalement la méthode gel-sol, la méthode d'incorporation, la méthode de revêtement au pinceau, la méthode de pulvérisation au plasma, la méthode de réaction chimique en phase vapeur (CVR) et la méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Méthode d'intégration
Cette méthode est une sorte de frittage en phase solide à haute température, qui utilise principalement de la poudre de Si et de la poudre de C comme poudre d'enrobage, place lematrice de graphitedans la poudre d'enrobage, et fritte à haute température dans un gaz inerte, et obtient finalementRevêtement SiCà la surface de la matrice de graphite. Ce procédé est simple à mettre en œuvre et le revêtement et la matrice sont bien liés, mais l'uniformité du revêtement dans le sens de l'épaisseur est médiocre et il est facile de produire davantage de trous, ce qui entraîne une mauvaise résistance à l'oxydation.
Méthode de revêtement au pinceau
La méthode de revêtement au pinceau consiste principalement à brosser la matière première liquide sur la surface de la matrice de graphite, puis à solidifier la matière première à une certaine température pour préparer le revêtement. Ce procédé est simple à mettre en œuvre et peu coûteux, mais le revêtement préparé par le procédé de revêtement à la brosse présente une faible liaison avec la matrice, une mauvaise uniformité du revêtement, un revêtement mince et une faible résistance à l'oxydation, et nécessite l'aide d'autres procédés.
Méthode de pulvérisation plasma
La méthode de pulvérisation au plasma utilise principalement un pistolet à plasma pour pulvériser des matières premières fondues ou semi-fondues sur la surface du substrat en graphite, puis se solidifie et se lie pour former un revêtement. Cette méthode est simple à mettre en œuvre et permet de préparer une pâte relativement denserevêtement en carbure de silicium, mais lerevêtement en carbure de siliciumpréparé par cette méthode est souvent trop faible pour avoir une forte résistance à l'oxydation, il est donc généralement utilisé pour préparer des revêtements composites SiC afin d'améliorer la qualité du revêtement.
Méthode gel-sol
La méthode gel-sol prépare principalement une solution sol uniforme et transparente pour recouvrir la surface du substrat, la sèche en gel, puis la fritte pour obtenir un revêtement. Ce procédé est simple à mettre en œuvre et peu coûteux, mais le revêtement préparé présente des inconvénients tels qu'une faible résistance aux chocs thermiques et une fissuration facile, et ne peut pas être largement utilisé.
Méthode de réaction chimique en phase vapeur (CVR)
Le CVR génère principalement de la vapeur de SiO en utilisant de la poudre de Si et SiO2 à haute température, et une série de réactions chimiques se produisent à la surface du substrat en matériau C pour générer un revêtement SiC. Le revêtement SiC préparé par ce procédé est étroitement lié au substrat, mais la température de réaction est élevée et le coût est également élevé.
Heure de publication : 24 juin 2024