-
Que sont les semi-conducteurs de puissance ? Comprendre la croissance rapide de ce marché !
En tant que l'une des entreprises leaders du secteur, Semicera se consacre à fournir des solutions innovantes à nos clients. Dans cet article, nous explorerons le concept de semi-conducteurs de puissance et comprendrons pourquoi ce marché connaît une croissance rapide. Comprendre les semi-conducteurs de puissance...En savoir plus -
Technologie de production et principales utilisations du graphite pressé isostatique
Le graphite pressé isostatique est un nouveau type de matériau graphite, qui présente une excellente conductivité électrique, une résistance aux températures élevées et une stabilité chimique, il est donc largement utilisé dans de nombreux domaines de haute technologie. Cet article présentera en détail le processus de production, les principaux...En savoir plus -
Exploration des disques épitaxiaux semi-conducteurs en carbure de silicium : avantages en termes de performances et perspectives d'application
Dans le domaine actuel de la technologie électronique, les matériaux semi-conducteurs jouent un rôle crucial. Parmi eux, le carbure de silicium (SiC) en tant que matériau semi-conducteur à large bande interdite, avec ses excellents avantages en termes de performances, tels qu'un champ électrique de claquage élevé, une vitesse de saturation élevée, h...En savoir plus -
Feutre dur en graphite – matériau innovant, ouvre une nouvelle ère de science et de technologie.
En tant que nouveau matériau feutre dur en graphite, le processus de fabrication est tout à fait unique. Pendant le processus de mélange et de feutrage, les fibres de graphène et les fibres de verre interagissent pour former un nouveau matériau qui conserve à la fois la conductivité électrique élevée et la haute résistance du graphène et...En savoir plus -
Qu'est-ce qu'une plaquette semi-conductrice en carbure de silicium (SiC)
Plaquettes semi-conductrices de carbure de silicium (SiC), ce nouveau matériau qui a progressivement émergé ces dernières années, avec ses propriétés physiques et chimiques uniques, a injecté une nouvelle vitalité à l'industrie des semi-conducteurs. Les plaquettes SiC, utilisant des monocristaux comme matières premières, sont soigneusement préparées...En savoir plus -
Processus de production de plaquettes de carbure de silicium
La plaquette de carbure de silicium est composée de poudre de silicium de haute pureté et de poudre de carbone de haute pureté comme matières premières, et le cristal de carbure de silicium est cultivé par la méthode de transfert physique de vapeur (PVT) et transformé en plaquette de carbure de silicium. ① Synthèse des matières premières. Sili de haute pureté...En savoir plus -
Revêtement en carbure de silicium : le nouveau chouchou de l'industrie des semi-conducteurs
Avec le développement rapide de l'industrie des semi-conducteurs, le nouveau matériau de revêtement en carbure de silicium (SiC) devient progressivement le matériau phare de l'industrie. Le graphite recouvert de carbure de silicium est largement utilisé dans les produits électroniques à semi-conducteurs haute température/haute tension...En savoir plus -
Revêtements en carbure de silicium : nouvelles avancées dans la science des matériaux
Avec le développement de la science et de la technologie, le nouveau matériau de revêtement en carbure de silicium change progressivement nos vies. Ce revêtement, qui est préparé sur la surface des pièces par dépôt physique ou chimique en phase vapeur, pulvérisation et autres méthodes, a attiré beaucoup d'attention...En savoir plus -
Corps en graphite recouvert de SiC
En tant qu'un des composants essentiels de l'équipement MOCVD, la base en graphite est le support et le corps chauffant du substrat, qui détermine directement l'uniformité et la pureté du matériau du film, de sorte que sa qualité affecte directement la préparation de la feuille épitaxiale, et au niveau du substrat. ..En savoir plus -
Procédé de préparation d'un revêtement en carbure de silicium
À l'heure actuelle, les méthodes de préparation du revêtement SiC comprennent principalement la méthode gel-sol, la méthode d'incorporation, la méthode de revêtement au pinceau, la méthode de pulvérisation au plasma, la méthode de réaction chimique gazeuse (CVR) et la méthode de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Méthode d'intégration : La méthode est une sorte de haute...En savoir plus -
Félicitations à notre (Semicera), partenaire, SAN 'an Optoelectronics, pour la hausse du cours de l'action
24 octobre -- Les actions de San'an Optoelectronics ont grimpé jusqu'à 3,8 aujourd'hui après que le fabricant chinois de semi-conducteurs a annoncé que son usine de carbure de silicium, qui fournira la coentreprise de puces automobiles de l'entreprise avec le géant technologique suisse ST Microelectronics une fois terminée. .En savoir plus -
Percée dans la technologie d'épitaxie au carbure de silicium : ouvrir la voie à la fabrication de réacteurs épitaxiaux au silicium/carbure en Chine
Nous sommes ravis d'annoncer une réalisation révolutionnaire dans l'expertise de notre société dans la technologie d'épitaxie au carbure de silicium. Notre usine est fière d'être l'un des principaux fabricants en Chine capable de produire des réacteurs épitaxiaux silicium/carbure. Avec notre engagement envers une qualité exceptionnelle...En savoir plus