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Qu’est-ce que l’épitaxie ?
La plupart des ingénieurs ne connaissent pas l’épitaxie, qui joue un rôle important dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs. L'épitaxie peut être utilisée dans différents produits de puces, et différents produits ont différents types d'épitaxie, notamment l'épitaxie Si, l'épitaxie SiC, l'épitaxie GaN, etc. Qu'est-ce que l'épitaxie ? L'épitaxie je...En savoir plus -
Quels sont les paramètres importants du SiC ?
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande interdite important, largement utilisé dans les appareils électroniques haute puissance et haute fréquence. Voici quelques paramètres clés des plaquettes de carbure de silicium et leurs explications détaillées : Paramètres de réseau : assurez-vous que le...En savoir plus -
Pourquoi le silicium monocristallin doit-il être laminé ?
Le laminage fait référence au processus de meulage du diamètre extérieur d'une tige monocristalline de silicium en une tige monocristalline du diamètre requis à l'aide d'une meule diamantée, et de meulage d'une surface de référence à bord plat ou d'une rainure de positionnement de la tige monocristalline. La surface du diamètre extérieur...En savoir plus -
Processus de production de poudres SiC de haute qualité
Le carbure de silicium (SiC) est un composé inorganique connu pour ses propriétés exceptionnelles. Le SiC naturel, appelé moissanite, est assez rare. Dans les applications industrielles, le carbure de silicium est principalement produit par des méthodes synthétiques. Chez Semicera Semiconductor, nous exploitons des technologies avancées...En savoir plus -
Contrôle de l'uniformité de la résistivité radiale lors du tirage des cristaux
Les principales raisons affectant l'uniformité de la résistivité radiale des monocristaux sont la planéité de l'interface solide-liquide et le petit effet plan pendant la croissance cristalline. L'influence de la planéité de l'interface solide-liquide pendant la croissance cristalline, si la masse fondue est agitée uniformément , le...En savoir plus -
Pourquoi le four monocristallin à champ magnétique peut-il améliorer la qualité du monocristal
Étant donné que le creuset est utilisé comme récipient et qu'il y a une convection à l'intérieur, à mesure que la taille du monocristal généré augmente, la convection thermique et l'uniformité du gradient de température deviennent plus difficiles à contrôler. En ajoutant un champ magnétique pour faire agir la fusion conductrice sur la force de Lorentz, la convection peut être...En savoir plus -
Croissance rapide de monocristaux de SiC à l'aide d'une source en vrac CVD-SiC par méthode de sublimation
Croissance rapide d'un monocristal de SiC à l'aide d'une source en vrac CVD-SiC via la méthode de sublimationEn utilisant des blocs CVD-SiC recyclés comme source de SiC, les cristaux de SiC ont été cultivés avec succès à une vitesse de 1,46 mm/h grâce à la méthode PVT. Les densités de microtuyaux et de dislocations du cristal développé indiquent que de...En savoir plus -
Contenu optimisé et traduit sur les équipements de croissance épitaxiale en carbure de silicium
Les substrats en carbure de silicium (SiC) présentent de nombreux défauts qui empêchent un traitement direct. Pour créer des tranches de puce, un film monocristallin spécifique doit être développé sur le substrat SiC par un processus épitaxial. Ce film est connu sous le nom de couche épitaxiale. Presque tous les dispositifs SiC sont réalisés par épitaxie...En savoir plus -
Le rôle crucial et les cas d'application des suscepteurs en graphite recouverts de SiC dans la fabrication de semi-conducteurs
Semicera Semiconductor prévoit d'augmenter la production de composants de base pour les équipements de fabrication de semi-conducteurs à l'échelle mondiale. D'ici 2027, nous visons à créer une nouvelle usine de 20 000 mètres carrés avec un investissement total de 70 millions USD. L'un de nos composants principaux, le support de plaquette en carbure de silicium (SiC)...En savoir plus -
Pourquoi devons-nous faire de l’épitaxie sur des substrats de tranches de silicium ?
Dans la chaîne industrielle des semi-conducteurs, en particulier dans la chaîne industrielle des semi-conducteurs de troisième génération (semi-conducteurs à large bande interdite), il existe des substrats et des couches épitaxiales. Quelle est l’importance de la couche épitaxiale ? Quelle est la différence entre le substrat et le substrat ? Le sous-sol...En savoir plus -
Processus de fabrication de semi-conducteurs – Etch Technology
Des centaines de processus sont nécessaires pour transformer une plaquette en semi-conducteur. L'un des processus les plus importants est la gravure, c'est-à-dire la gravure de fins motifs de circuits sur la tranche. Le succès du processus de gravure dépend de la gestion de diverses variables dans une plage de distribution définie, et chaque gravure...En savoir plus -
Matériau idéal pour les bagues de focalisation dans les équipements de gravure au plasma : carbure de silicium (SiC)
Dans les équipements de gravure plasma, les composants en céramique jouent un rôle crucial, notamment la bague de focalisation. La bague de focalisation, placée autour de la plaquette et en contact direct avec celle-ci, est essentielle pour focaliser le plasma sur la plaquette en appliquant une tension sur la bague. Cela améliore l'ONU...En savoir plus