L'industrie des semi-conducteurs connaît une croissance sans précédent, notamment dans le domaine descarbure de silicium (SiC)électronique de puissance.Avec de nombreux projets à grande échelletrancheSi les usines de fabrication sont en construction ou en expansion pour répondre à la demande croissante de dispositifs SiC dans les véhicules électriques, ce boom présente de remarquables opportunités de croissance des bénéfices.Cependant, cela soulève également des défis uniques qui nécessitent des solutions innovantes.
Au cœur de la production mondiale croissante de puces SiC se trouve la fabrication de cristaux, de tranches et de couches épitaxiales SiC de haute qualité.Ici,graphite de qualité semi-conducteurLes matériaux jouent un rôle central en facilitant la croissance des cristaux de SiC et le dépôt de couches épitaxiales de SiC.L'isolation thermique et l'inertie du graphite en font un matériau privilégié, largement utilisé dans les creusets, les socles, les disques planétaires et les satellites au sein des systèmes de croissance cristalline et d'épitaxie.Néanmoins, les conditions difficiles du procédé posent un défi important, conduisant à une dégradation rapide des composants en graphite et entravant par la suite la production de cristaux de SiC et de couches épitaxiales de haute qualité.
La production de cristaux de carbure de silicium implique des conditions de processus extrêmement difficiles, notamment des températures supérieures à 2 000 °C et des substances gazeuses hautement corrosives.Cela entraîne souvent une corrosion complète des creusets en graphite après plusieurs cycles de processus, augmentant ainsi les coûts de production.De plus, les conditions difficiles modifient les propriétés de surface des composants en graphite, compromettant la répétabilité et la stabilité du processus de production.
Pour lutter efficacement contre ces défis, la technologie des revêtements de protection est apparue comme une révolution.Revêtements de protection à base decarbure de tantale (TaC)ont été introduites pour résoudre les problèmes de dégradation des composants en graphite et de pénurie d’approvisionnement en graphite.Les matériaux TaC présentent une température de fusion supérieure à 3 800°C et une résistance chimique exceptionnelle.Tirant parti de la technologie de dépôt chimique en phase vapeur (CVD),Revêtements TaCd'une épaisseur allant jusqu'à 35 millimètres peuvent être déposés sans problème sur des composants en graphite.Cette couche protectrice améliore non seulement la stabilité du matériau, mais prolonge également considérablement la durée de vie des composants en graphite, réduisant ainsi les coûts de production et améliorant l'efficacité opérationnelle.
Semicera, un fournisseur leader deRevêtements TaC, a joué un rôle déterminant dans la révolution de l’industrie des semi-conducteurs.Grâce à sa technologie de pointe et à son engagement inébranlable envers la qualité, Semicera a permis aux fabricants de semi-conducteurs de surmonter des défis critiques et d'atteindre de nouveaux sommets de réussite.En proposant des revêtements TaC aux performances et à la fiabilité inégalées, Semicera a consolidé sa position de partenaire de confiance pour les entreprises de semi-conducteurs du monde entier.
En conclusion, la technologie des revêtements protecteurs, alimentée par des innovations telles queRevêtements TaCde Semicera, remodèle le paysage des semi-conducteurs et ouvre la voie à un avenir plus efficace et plus durable.
Heure de publication : 16 mai 2024